Samsung, Pyeongtaek’teki P4 tesisinde 1c DRAM üretim hattını tamamlamak üzere. Şirket, bu yongalarda %30-40 verim elde ediyor ve bu oranın hızla arttığı bildiriliyor. 1c DRAM, Samsung’un daha önce HBM3E için kullandığı 1a DRAM’den iki nesil ileri düzeyde bir teknoloji. Kritik nokta, rakipleri SK hynix ve Micron’un hali hazırda 1b DRAM tabanlı HBM3E sunarken, Samsung'un doğrudan HBM4'e odaklanması. Yeni DRAM tasarımında çevresel devre hat genişliği artırılarak daha stabil bir yapı hedefleniyor; bu da maliyetten ziyade güvenilirliği önceleyen bir strateji anlamına geliyor.

Daha önce Samsung Semiconductor Başkan Yardımcısı Jeon Young-hyun, HBM pazarındaki gecikmeyi kabul ettiğini ancak HBM4 ve özelleştirilmiş çözümlerle bu kaybı telafi edecek altyapının kurulduğunu vurgulamıştı. Jeon'a göre şirket, yeni nesil belleklerde benzer hataları tekrarlamamak için aşamalı ve planlı bir şekilde ilerliyor. Samsung’un bu agresif yeniden yapılanması, yalnızca HBM4 pazarıyla sınırlı değil. Şirket, DRAM tasarımını ve üretim süreçlerini entegre biçimde kontrol ederek, rakiplerinin aksine TSMC gibi harici üreticilere bağımlı kalmadan özelleştirilmiş taleplere doğrudan yanıt verebilecek bir konuma gelmeyi hedefliyor. Bu da, şirketi yapay zeka pazarında daha rekabetçi bir oyuncu hâline getirebilir.