Samsung’un, HBM4 yongalarının seri üretimine ve büyük müşterilere sevkiyatına bu ay içinde başlamayı planladığı bildiriliyor. Şirket, bu yeni nesil bellek çözümünde iki ileri üretim teknolojisini bir arada kullanıyor. DRAM hücre katmanı, Samsung’un altıncı nesil 10 nanometre sınıfı DRAM teknolojisi olan 1c süreciyle üretilirken; temel katman (base die) ise şirketin 4 nanometre foundry süreci ile geliştiriliyor.

Bu mimari sayesinde sistem genelinde enerji verimliliğinin 2,8 kata kadar artırılabileceği öngörülüyor. Şirketin projeksiyonlarına göre zHBM mimarisiyle bant genişliği 4 katına çıkarken güç tüketimi yüzde 25 oranında düşürecek. Bu da hem performans hem de enerji verimliliği açısından kayda değer bir sıçrama anlamına geliyor.