Çinli Ymtc, Lpddr5x Belleklerde Yüksek Hızlara İlerliyor

Çinli bellek üreticisi YMTC, NAND Flash alanındaki faaliyetlerinin yanı sıra DRAM pazarındaki varlığını da büyütüyor. Şirketin, 9.600 MT/s veri aktarım hızına ulaşan LPDDR5X belleklerin seri üretimine başlamaya hazırlandığı belirtiliyor.

Counterpoint Research tarafından paylaşılan bilgilere göre YMTC, Ekim 2025'ten bu yana Fab 2 tesisinde ayda yaklaşık 5.000 wafer üretimi gerçekleştiriyor. Bu tesiste üretilen bellekler, 16 Gb kapasiteye ve 7.500 MT/s veri aktarım hızına sahip LPDDR5X DRAM yongalarından oluşuyor.

Şirket şimdi üretim kapasitesini ve performansı artırmaya hazırlanıyor. YMTC'nin Fab 3 tesisinde, 9.600 MT/s veri aktarım hızına ulaşan LPDDR5X belleklerin seri üretimine geçmesi bekleniyor. Yeni üretim sürecinde, hücre başına düşen alanı azaltmayı amaçlayan Vertical Channel Transistor (VCT) ve 4F² hücre mimarisi kullanılacak. Bu yaklaşım, aynı silikon alanına daha fazla bellek hücresi yerleştirilmesine imkan tanıyor.

YMTC'nin bellek teknolojilerindeki önemli avantajlarından biri, üç boyutlu silikon yapılarının geliştirilmesine yönelik çalışmaları. Şirketin Xtacking 4.0 teknolojisi, bellek hücrelerinin bulunduğu wafer ile çevresel mantık devrelerini içeren wafer'ın ayrı üretilmesini ve daha sonra birleştirilmesini sağlıyor.

Bu süreçte kullanılan hibrit bağlama yöntemi, iki silikon yapının metal bağlantı noktaları üzerinden kalıcı biçimde birleştirilmesine dayanıyor. Böylece ayrı üretilen yongalar veya silikon wafer'lar üst üste istiflenerek tek bir yapı halinde çalışabiliyor. Bu yaklaşım, bellek hücreleri ile kontrol devrelerinin üretim süreçlerini birbirinden ayırırken daha gelişmiş üç boyutlu bellek tasarımlarının önünü açıyor.

YMTC, LPDDR5X üretimini büyük ölçeklere taşısa bile gelecekte Xtacking 4.0 veya henüz ortaya çıkmamış olası Xtacking 5.0 teknolojisi üzerinden 3D DRAM üretimine geçiş yapabilecek bir konumda bulunuyor. Üç boyutlu DRAM teknolojisi, bellek hücrelerinin dikey olarak istiflenmesiyle kapasite yoğunluğunun artırılmasını hedefliyor. Bu teknoloji henüz yaygın seri üretim aşamasına ulaşmamış olsa da bellek üreticileri için önemli bir sonraki adım olarak görülüyor.

Bellek sektöründe hücre tasarımı konusunda farklı stratejiler izleniyor. Micron, kısa süre önce yaptığı açıklamada 4F² DRAM mimarisini ticari ürünlere taşımayı planlamadığını doğruladı. Şirket, üç boyutlu DRAM teknolojisi hazır hale gelene kadar günümüzde kullanılan 6F² hücre düzenine odaklanmayı sürdürecek.

Buna karşılık YMTC ve bir diğer Çinli üretici CXMT, 4F² mimarisinin benimsenmesi için çalışmalar yürütüyor. Daha küçük hücre alanı, aynı yüzey üzerinde daha fazla bellek hücresinin konumlandırılmasına imkan tanıdığı için üretim yoğunluğu açısından avantaj sağlayabiliyor. Bu durum, Çinli bellek üreticilerinin hücre tasarımı konusunda rakiplerine kıyasla belirli bir avantaj elde etmesini sağlayabilir.

Bununla birlikte Çinli üreticiler, gelişmiş üretim süreçlerinde derin ultraviyole (DUV) litografi ekipmanlarıyla ilgili kısıtlamalarla karşı karşıya. Bu sınırlamalar, daha ileri üretim teknolojilerine geçişi zorlaştırabiliyor. Dolayısıyla 4F² mimarisine yönelmek önemli bir avantaj sunsa da tek başına genel üretim verimliliği ve teknolojik rekabet gücü açısından belirleyici olmayacak.